微源 LPM2302 20V3.5A N沟道增强型场效应晶体管

描述：

LPM2302是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度和DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺特别设计用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和需要高侧开关的其他电池供电电路。

特征：

20V/3.5A，RDS（ON）=50mΩ（典型值）@VGS=4.5V

20V/3.0A，RDS（ON）=75mΩ（典型值）@VGS=2.5V

超高密度电池设计，超低RDS（ON）

SOT23封装

应用：

便携式媒体播放器

蜂窝和智能手机

LCD

DSC传感器

无线卡

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