描述：
AGM3N150F结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS（ON）。该器件非常适合负载开关和电池保护应用。
特征：
先进的高密度沟槽技术
低RDS（ON）以最小化导电损失
低栅极电荷以实现快速切换
低热阻
100% 进行过雪崩测试
100% 进行过DVDS测试.
应用：
电子镇流器
电子变压器
开关模式电源
详情请咨询我司业务15986786916
