网友的回答：
记忆体延迟实际上指的是系统需要等待多长时间，记忆体才能做好传送或接收资料的準备。处理器等待的时间越短，整机的效能就越高。
这个準则在intel以及则孙amd的平台上都适用，同时现在也没有比2-2-2-5更低的记忆体延迟，记忆体标準组织jedec认为以目前的动态记忆体技术还无法实现0或1的延迟。
记忆体延迟最直接的表现就是4个连着的数字（比如2-2-2-5），其中：
第乙个薯派数字「2」表示cas延迟，这也是最重要的乙个引数；
第二个数字「2」表示ras-cas延迟，第三个数字「2」孙手鍊表示ras预充电时间（ras precharge）；
第四个数字「5」表示act-to-precharge延迟，通常是最后也是最大的乙个数字。
来自桃花谷果断的龙虾的回答：
记忆体延迟基本上可以解释成是系统进入资料答含巨集进行存取操作就绪状清册态前等待记忆体响应的时间。
里有自己看吧老兆。
️记忆体超4000延迟多少正常
熊阿龙的回答：
️记忆体超4000延迟3到5秒正常。按正常延时在3到5秒属于正常，记忆体的cl值也不可能消除，一般来说频率相同的记忆体cl值越小效能就越高。
记忆体延迟表示系统进入资料存取操作就绪状态前等待记忆体响应的时间，一般而言四个数中越往后值越大，这4个数字越小，表示记忆体效能越好，因此国际记忆体标準组织认为以现在的动态记忆体技术还无法实现0或者1的延迟。
️记忆体延迟的意义
记忆体延迟时间有个专门的术语叫latency。要形象的了解延迟，我们不妨把记忆体当成乙个储存着资料的阵列，或者乙个excel**，要确定每个资料的位置，每个资料都是以行和列编排序号来标示，在确定了行、列序号之后该资料就唯一了。
记忆体工作时，在要读取或写入某资料，记忆体控制晶元会先把资料的行位址传送过去，这个ras讯号row address strobe，行位址讯号就被启用，而在转化到行资料前，需要经过几个执行週期，然后接下来cas讯号column address strobe，誉蠢笑列位址讯号被启用。
在ras讯号和cas讯号之间的几个执行週期就是ras-to-cas延迟时间。在cas讯号被执行之后同样也需要几个执行週期。此执行週期在使用标準pc133的sdram大约是2到3个週期，而ddr ram则是4到5个週期。
在ddr中，真正的cas延迟时间则是2到个执行週期。ras-to-cas的庆含时间则视技术而定，大档携约是5到7个週期，这也是延迟的基本因素。
️记忆体延迟到底是多少
网友的回答：
只写cl延时是因为其对效能影响最大。
cl延迟：9 说明cas line 延时是9 ns, 至于trp，trcd，tras 这几个引数的延时没给给出是不知道的。
cl-trp-trcd-tras一般在记忆体条的封条上有，或者进入bios 可以看到，但bios 中cl 不一定是记忆体物理的真实值，bios 中取的是多通道记忆体中最慢的cl 值。
1600mhz 的cl 延时有：9，8，7和6 四种。1600mhz 时钟週期是，所以这四种cl 延时对应的first word延时应该是两者的乘积：，10ns， 和。
估计你担心的是9 这个数字作为延时是不是太高了（我记得ddr 和ddr2 cl延时都还是2-6），实际上记忆体资料传输率（1600mhz）高了，时钟週期也减小了，cl 延时变大对效能的影响不大。
️记忆体条延迟描述怎么看
热心网友的回答：
延迟描述(cl)：
cl反应时间是衡定记忆体的另卜猛乙个标誌。坦铅cl是cas latency的缩写，指的是记忆体存取资料所需的延迟时间，简单的说，就是记忆体接到cpu的指令后型信桥的反应速度。一般的引数值是2和3两种。
数字越小，代表反应所需的时间越短。在早期的pc133记忆体标準中，这个数值规定为3，而在intel重新制订的新规範中，强制要求cl的反应时间必须为2，这样在一定程度上，对于记忆体厂商的晶元及pcb的组装工艺要求相对较高，同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌记忆体时，这是乙个不可不察的因素。
通常情况下，我们用4个连着的阿拉伯数字。
来表示乙个记忆体延迟，例如2-2-2-5。其中，第乙个数字最为重要，它表示的是cas latency,也就是记忆体存取资料所需的延迟时间。第二个数字表示的是ras-cas延迟，接下来的两个数字分别表示的是ras预充电时间和act-to-precharge延迟。
而第四个数字一般而言是它们中间最大的乙个。
️记忆体引数中的时延是什么意思
it风云说的回答：
记忆体时序到底是什么意思？越大越好？还是越小越好呢？
网友的回答：
记忆体延迟表示系统进入资料存取操作就绪状态前等待记忆体响应的时间，它通常用4个连着的阿拉伯数字来表示，例如「3-4-4-8」，一般而言四个数中越往后值越大，这4个数字越小，表示记忆体效能越好。
第乙个数字最为重要，表示注册读取命令到第乙个输出资料之间的延迟（cas latency），即cl值，单位是时钟週期。这是纵向位址脉冲的反应时间。 第二个数字表示 记忆体行位址控制器预充电时间（ras precharge），即trp。
指记忆体从结束乙个行访问到重新开始的间隔时间。
第三个数字表示从记忆体行位址到列位址的延迟时间（ras to cas delay），即trcd。
第四个数字表示记忆体行位址控制器启用时间act-to-precharge precharge delay（tras
️记忆体延迟时间问题
柯小样的回答：
例如抄2-2-2-5。其中，第乙个数字最为重要，它袭表示的是cas latency，也就是。
bai记忆体du存取资料所需的延迟时zhi
间。第二个数字表示的dao是ras-cas延迟，接下来的两个数字分别表示的是ras预充电时间和act-to-precharge延迟。而第四个数字一般而言是它们中间最大的乙个。
热心网友的回答：
这个除了记忆体本身的问题，那就是主机板里的设定问题了，你在主机板bios里把记忆体引数设定为手动，然后自己调。
️记忆体延迟的操作方法
甜大的回答：
举个例子来计算一下总延迟时间，比如一条ddr333记忆体其存取时间为6ns，而其记忆体时钟週期为6ns（ddr记忆体时钟週期=1x2/记忆体频率，ddr400记忆体频率为400，则可计算出其时钟週期为5ns）。我们在主机板的bios中将其cl设定为，则总的延迟时间=6ns ，而如果cl设定为2，那么总的延迟时间=6ns x2+6ns=18 ns，就减少了3ns的时间。
从总的延迟时间来看，cl值的大小起到了很关键的作用。所以对系统要求高和喜欢超频的使用者通常喜欢购买cl值较低的记忆体。目前各记忆体颗粒厂商除了从提高记忆体时脉频率来提高ddr的效能之外，已经考虑通过更进一步的降低cas延迟时间来提高记忆体效能。
不过，并不是说cl值越低效能就越好，因为其它的因素会影响这个资料。例如，新一代处理器的快取记忆体较有效率，这表示处理器比较少地直接从记忆体读取资料。再者，列的资料会比较常被存取，所以ras-to-cas的发生几率也大，读取的时间也会增多。
最后，有时会发生同时读取大量资料的情形，在这种情形下，相邻的记忆体资料会一次被读取出来，cas延迟时间只会发生一次。
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