SK海力士的1cnmDRAM内存工艺近期良率约为80%，较去年下半年的六成有明显提升。一般而言DRAM内存工艺在良率达到80%~90%时就可进入正式量产，SK海力士的1c nm制程即将达到大规模生产所需的…

据称，三星电子 2nm 工艺（SF2）取得了高于预期的初始良率，在 Exynos 2600 的试生产中良率约为 30% 左右。 SF2是三星电子代工部门计划在今年下半年量产的最新工艺，采用第三代 GAA …