成都屿西半导体申请紧凑型高功率高效率GaN功放芯片专利，显著缩小芯片尺寸

金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，成都屿西半导体科技有限公司申请一项名为“一种紧凑型高功率高效率GaN功放芯片”的专利，公开号CN120034134A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明公开了一种紧凑型高功率高效率GaN功放芯片，属于射频及微波集成电路技术领域。采用两级级联放大结构，包括输入端、输入匹配网络、第一级放大网络、级间匹配网络、第二级放大网络、输出匹配网络、输出端及偏置与稳定电路。级间匹配网络集成功分、栅极偏置馈电、稳定性设计及级间阻抗匹配功能，输出匹配网络集成功率合成、漏极偏置馈电及输出阻抗匹配功能，第二级放大网络采用多个GaN管芯并联。通过功能集成减少独立元件与布线空间，显著缩小芯片尺寸；优化信号放大链路与能量传输路径，提升宽频带内输出功率与效率；结合稳定电路与对称布局设计，增强芯片在宽工作频段内的稳定性与可靠性，满足通信系统对高集成度、高性能功率放大器的需求。

天眼查资料显示，成都屿西半导体科技有限公司，成立于2016年，位于成都市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2742.3169万人民币。通过天眼查大数据分析，成都屿西半导体科技有限公司参与招投标项目1次，专利信息8条，此外企业还拥有行政许可1个。