深圳优晶微电子申请具有防冲击结构半导体场效应管专利，对衬底进行充分防护

金融界2025年5月22日消息，国家知识产权局信息显示，深圳优晶微电子科技有限公司申请一项名为“一种具有防冲击结构的半导体场效应管”的专利，公开号CN120015706A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体场效应管技术领域，具体地说是一种具有防冲击结构的半导体场效应管，包括第一防护主体、衬底、第二防护主体、漏极D、栅极G和源极S,所述漏极D、栅极G和源极S均匀固定连接在所述衬底的底端。本发明通过设置的第一防护主体和第二防护主体可以对进行充分的防护作用，并且设置的各个温度传感器可以对使用中的衬底温度检测，当检测到温度较高时，微型散热器自动的运行对衬底进行散热，散热时微型散热器可以向第二防护卡罩的内部吹入高速的气体，进入至第二防护卡罩内部的气体通过第二输送连通槽和输送连通管可以进入至连通孔和第一输送连通槽的内部，从而可以对衬底的两侧同步的散热处理。

天眼查资料显示，深圳优晶微电子科技有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事商务服务业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳优晶微电子科技有限公司财产线索方面有商标信息5条，专利信息29条，此外企业还拥有行政许可6个。